Numéro de produit du fabricant:
AOW29S50
Product Overview
Fabricant:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
DiGi Electronics Numéro de pièce:
AOW29S50-DG
Description:
MOSFET N-CH 500V 29A TO262
Description détaillée:
N-Channel 500 V 29A (Tc) 357W (Tc) Through Hole TO-262
Inventaire:
12848764
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SOUMETTRE
AOW29S50 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Emballage
-
Série
aMOS™
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
500 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
29A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
150mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
26.6 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1312 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
357W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-262
Emballage / Caisse
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Numéro de produit de base
AOW29
Fiche technique & Documents
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,000
Autres noms
785-1427-5
5202-AOW29S50
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
STI33N60M2
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
STI33N60M2-DG
PRIX UNITAIRE
1.72
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
SPI21N50C3XKSA1
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
450
NUMÉRO DE PIÈCE
SPI21N50C3XKSA1-DG
PRIX UNITAIRE
1.97
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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