Numéro de produit du fabricant:
DMN61D8LVT-13
Product Overview
Fabricant:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Numéro de pièce:
DMN61D8LVT-13-DG
Description:
MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
Description détaillée:
Mosfet Array 60V 630mA 820mW Surface Mount TSOT-26
Inventaire:
9150 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12901235
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SOUMETTRE
DMN61D8LVT-13 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Arrays
Fabricant
Diodes Incorporated
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
2 N-Channel (Dual)
Fonctionnalité FET
Logic Level Gate
Tension de vidange à la source (Vdss)
60V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
630mA
rds activé (max) @ id, vgs
1.8Ohm @ 150mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
0.74nC @ 5V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
12.9pF @ 12V
Puissance - Max
820mW
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Ensemble d’appareils du fournisseur
TSOT-26
Numéro de produit de base
DMN61
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
10,000
Autres noms
DMN61D8LVT-13DICT
DMN61D8LVT-13DITR-DG
DMN61D8LVT-13DITR
31-DMN61D8LVT-13DKR
DMN61D8LVT-13DIDKR-DG
31-DMN61D8LVT-13TR
DMN61D8LVT-13DICT-DG
DMN61D8LVT-13DIDKR
31-DMN61D8LVT-13CT
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
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