Numéro de produit du fabricant:
DMT64M1LCG-7
Product Overview
Fabricant:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Numéro de pièce:
DMT64M1LCG-7-DG
Description:
MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN3333
Description détaillée:
N-Channel 65 V 16.7A (Ta), 67.8A (Tc) 1.2W (Ta) Surface Mount V-DFN3333-8 (Type B)
Inventaire:
12979169
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
DMT64M1LCG-7 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Diodes Incorporated
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
65 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
16.7A (Ta), 67.8A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
5.4mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
51.4 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2626 pF @ 30 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1.2W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
V-DFN3333-8 (Type B)
Emballage / Caisse
8-PowerVDFN
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,000
Autres noms
31-DMT64M1LCG-7TR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
DMT64M8LCG-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN3333
DMP31D7L-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
DMN3009LFVQ-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333
