DI080N06PQ-AQ
Numéro de produit du fabricant:

DI080N06PQ-AQ

Product Overview

Fabricant:

Diotec Semiconductor

DiGi Electronics Numéro de pièce:

DI080N06PQ-AQ-DG

Description:

MOSFET POWERQFN 5X6 N 65V 105A 0
Description détaillée:
N-Channel 65 V 80A (Tc) 80W (Tc) Surface Mount 8-QFN (5x6)

Inventaire:

12975152
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SOUMETTRE

DI080N06PQ-AQ Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Diotec Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
65 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
80A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
4mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
4128 pF @ 30 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
80W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-QFN (5x6)
Emballage / Caisse
8-PowerTDFN
Numéro de produit de base
DI080N06

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
5,000
Autres noms
4878-DI080N06PQ-AQCT
4878-DI080N06PQ-AQTR
2796-DI080N06PQ-AQTR
2721-DI080N06PQ-AQTR
4878-DI080N06PQ-AQDKR
2796-DI080N06PQ-AQTR-DG

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
Not applicable
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Not Applicable
Statut REACH
Vendor Undefined
HTSUS
8541.21.0000
Certification DIGI
Produits Connexes
onsemi

NVH4L015N065SC1

SIC MOS TO247-4L 650V

microchip-technology

APT30M61SLLG/TR

MOSFET N-CH 300V 54A D3PAK

goford-semiconductor

G16P03D3

P30V,RD(MAX)<12M@-10V,RD(MAX)<18

diotec-semiconductor

DI010N03PW

MOSFET POWERQFN 2X2 N 30V 10A 0.