Numéro de produit du fabricant:
EPC7014UBC
Product Overview
Fabricant:
EPC Space, LLC
DiGi Electronics Numéro de pièce:
EPC7014UBC-DG
Description:
GAN FET HEMT 60V 1A COTS 4UB
Description détaillée:
N-Channel 60 V 1A (Tc) Surface Mount 4-SMD
Inventaire:
149 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12974365
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SOUMETTRE
EPC7014UBC Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
EPC Space
Emballage
Bulk
Série
e-GaN®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
1A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
5V
rds activé (max) @ id, vgs
580mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 140µA
Vgs (max.)
+7V, -4V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
22 pF @ 30 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
4-SMD
Emballage / Caisse
4-SMD, No Lead
Numéro de produit de base
EPC7014
Informations supplémentaires
Forfait standard
169
Autres noms
4107-EPC7014UBC
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
HTSUS
0000.00.0000
Certification DIGI
Produits Connexes
PJD3NA50_L2_00001
500V N-CHANNEL MOSFET
SISS588DN-T1-GE3
N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
SSM10N954L,EFF
COMMON-DRAIN NCH MOSFET, 12V, 13
