FDPF12N50NZ
Numéro de produit du fabricant:

FDPF12N50NZ

Product Overview

Fabricant:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Numéro de pièce:

FDPF12N50NZ-DG

Description:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Description détaillée:
N-Channel 500 V 11.5A (Tc) 42W (Tc) Through Hole TO-220F-3

Inventaire:

1000 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12946898
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SOUMETTRE

FDPF12N50NZ Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Emballage
Bulk
Série
UniFET-II™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
500 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
11.5A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
520mOhm @ 5.75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1235 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
42W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220F-3
Emballage / Caisse
TO-220-3 Full Pack

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
306
Autres noms
ONSONSFDPF12N50NZ
2156-FDPF12N50NZ

Classification environnementale et d'exportation

ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
international-rectifier

IRFSL7734PBF

IRFSL7734 - 12V-300V N-CHANNEL P

fairchild-semiconductor

FCPF1300N80ZYD

MOSFET N-CH 800V 4A TO220F-3

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IRFS4115TRL7PP

IRFS4115 - 12V-300V N-CHANNEL PO

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FDS8878

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1