HUF76143S3ST
Numéro de produit du fabricant:

HUF76143S3ST

Product Overview

Fabricant:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Numéro de pièce:

HUF76143S3ST-DG

Description:

N-CHANNEL POWER MOSFET
Description détaillée:
N-Channel 30 V 75A (Tc) 225W (Tc) Surface Mount TO-263AB

Inventaire:

1364 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12933421
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SOUMETTRE

HUF76143S3ST Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Emballage
Bulk
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
75A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
5.5mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
114 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
3900 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
225W (Tc)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-263AB
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Fiche technique & Documents

Fiches techniques
Datasheet

Informations supplémentaires

Forfait standard
423
Autres noms
2156-HUF76143S3ST
FAIFSCHUF76143S3ST

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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