Numéro de produit du fabricant:
IRFW840BTM
Product Overview
Fabricant:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IRFW840BTM-DG
Description:
N-CHANNEL POWER MOSFET
Description détaillée:
N-Channel 500 V 8A (Tc) 3.13W (Ta), 134W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventaire:
2466 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12932170
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SOUMETTRE
IRFW840BTM Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Emballage
Bulk
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
500 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
8A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
800mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
53 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1800 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3.13W (Ta), 134W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-263 (D2PAK)
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
634
Autres noms
2156-IRFW840BTM
FAIFSCIRFW840BTM
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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