Numéro de produit du fabricant:
BSC054N04NSGATMA1
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
BSC054N04NSGATMA1-DG
Description:
MOSFET N-CH 40V 17A/81A TDSON
Description détaillée:
N-Channel 40 V 17A (Ta), 81A (Tc) 2.5W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5
Inventaire:
31911 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12837060
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SOUMETTRE
BSC054N04NSGATMA1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
OptiMOS™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
40 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
17A (Ta), 81A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
5.4mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 27µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2800 pF @ 20 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.5W (Ta), 57W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TDSON-8-5
Emballage / Caisse
8-PowerTDFN
Numéro de produit de base
BSC054
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
5,000
Autres noms
BSC054N04NS GTR-DG
BSC054N04NS GCT-DG
BSC054N04NSGATMA1TR
BSC054N04NS GDKR-DG
BSC054N04NSGATMA1DKR-DGTR-DG
BSC054N04NSGATMA1CT-DGTR-DG
BSC054N04NSGATMA1DKR
BSC054N04NSGATMA1CT
BSC054N04NSG
BSC054N04NS G-DG
BSC054N04NS GTR
BSC054N04NS G
BSC054N04NS GCT
BSC054N04NS GDKR
SP000354808
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
FQPF11P06
MOSFET P-CH 60V 8.6A TO220F
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