BSP297H6327XTSA1
Numéro de produit du fabricant:

BSP297H6327XTSA1

Product Overview

Fabricant:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Numéro de pièce:

BSP297H6327XTSA1-DG

Description:

MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Description détaillée:
N-Channel 200 V 660mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4

Inventaire:

7629 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12798534
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SOUMETTRE

BSP297H6327XTSA1 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
SIPMOS®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
200 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
660mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
1.8Ohm @ 660mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.8V @ 400µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
16.1 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
357 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1.8W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-SOT223-4
Emballage / Caisse
TO-261-4, TO-261AA
Numéro de produit de base
BSP297

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
1,000
Autres noms
SP001058622
BSP297H6327XTSA1DKR
BSP297H6327XTSA1CT
BSP297H6327XTSA1TR

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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