BSZ036NE2LSATMA1
Numéro de produit du fabricant:

BSZ036NE2LSATMA1

Product Overview

Fabricant:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Numéro de pièce:

BSZ036NE2LSATMA1-DG

Description:

MOSFET N-CH 25V 16A/40A TSDSON
Description détaillée:
N-Channel 25 V 16A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 37W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL

Inventaire:

73837 Pièces Nouvelles Originales En Stock
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SOUMETTRE

BSZ036NE2LSATMA1 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
OptiMOS™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
25 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
16A (Ta), 40A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
3.6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
16 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1200 pF @ 12 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.1W (Ta), 37W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TSDSON-8-FL
Emballage / Caisse
8-PowerTDFN
Numéro de produit de base
BSZ036

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
BSZ036NE2LSATMA1-DG
Fiches techniques
BSZ036NE2LSATMA1

Informations supplémentaires

Forfait standard
5,000
Autres noms
BSZ036NE2LSCT-DG
BSZ036NE2LSATMA1DKR
BSZ036NE2LSDKR
BSZ036NE2LS
BSZ036NE2LSATMA1TR
BSZ036NE2LSTR-DG
BSZ036NE2LSATMA1CT
SP000854572
BSZ036NE2LSDKR-DG
BSZ036NE2LS-DG
BSZ036NE2LSCT

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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