Numéro de produit du fabricant:
IAUC41N06S5L100ATMA1
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IAUC41N06S5L100ATMA1-DG
Description:
MOSFET N-CH 60V 41A TDSON-8-33
Description détaillée:
N-Channel 60 V 41A (Tj) 42W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-33
Inventaire:
29873 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12979690
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SOUMETTRE
IAUC41N06S5L100ATMA1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
OptiMOS™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
41A (Tj)
rds activé (max) @ id, vgs
10mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 13µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
16.4 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±16V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1205 pF @ 30 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
42W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TDSON-8-33
Emballage / Caisse
8-PowerTDFN
Numéro de produit de base
IAUC41
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
5,000
Autres noms
SP004486372
SP005409893
448-IAUC41N06S5L100ATMA1CT
448-IAUC41N06S5L100ATMA1TR
448-IAUC41N06S5L100ATMA1DKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
GCMX080B120S1-E1
SIC 1200V 80M MOSFET SOT-227
IAUC120N04S6L005ATMA1
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