Numéro de produit du fabricant:
IPA60R600P7SXKSA1
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IPA60R600P7SXKSA1-DG
Description:
MOSFET N-CH 600V 6A TO220
Description détaillée:
N-Channel 600 V 6A (Tc) 21W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Inventaire:
689 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12808531
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
n9bE
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
IPA60R600P7SXKSA1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tube
Série
CoolMOS™ P7
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
6A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
600mOhm @ 1.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 80µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
9 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
363 pF @ 400 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
21W (Tc)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TO220-FP
Emballage / Caisse
TO-220-3 Full Pack
Numéro de produit de base
IPA60R600
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
SP001658294
ROCINFIPA60R600P7SXKSA1
2156-IPA60R600P7SXKSA1
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Not Applicable
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
SYC0102BLT1G
SCR 0.25A GATE SCR
TP2104N3-G-P003
MOSFET P-CH 40V 175MA TO92-3
TP2104N3-G
MOSFET P-CH 40V 175MA TO92-3
