IPA60R600P7SXKSA1
Numéro de produit du fabricant:

IPA60R600P7SXKSA1

Product Overview

Fabricant:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Numéro de pièce:

IPA60R600P7SXKSA1-DG

Description:

MOSFET N-CH 600V 6A TO220
Description détaillée:
N-Channel 600 V 6A (Tc) 21W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP

Inventaire:

689 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12808531
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SOUMETTRE

IPA60R600P7SXKSA1 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tube
Série
CoolMOS™ P7
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
6A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
600mOhm @ 1.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 80µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
9 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
363 pF @ 400 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
21W (Tc)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TO220-FP
Emballage / Caisse
TO-220-3 Full Pack
Numéro de produit de base
IPA60R600

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
50
Autres noms
SP001658294
ROCINFIPA60R600P7SXKSA1
2156-IPA60R600P7SXKSA1

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Not Applicable
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
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