IPB60R199CPATMA1
Numéro de produit du fabricant:

IPB60R199CPATMA1

Product Overview

Fabricant:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Numéro de pièce:

IPB60R199CPATMA1-DG

Description:

MOSFET N-CH 600V 16A TO263-3
Description détaillée:
N-Channel 600 V 16A (Tc) 139W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2

Inventaire:

3260 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12804677
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SOUMETTRE

IPB60R199CPATMA1 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
CoolMOS™ CP
État du produit
Not For New Designs
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
16A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
199mOhm @ 9.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 660µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
43 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1520 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
139W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TO263-3-2
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numéro de produit de base
IPB60R199

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
1,000
Autres noms
IPB60R199CPTR-DG
IPB60R199CPCT
IPB60R199CPATMA1TR
IPB60R199CP-DG
IPB60R199CPCT-DG
IPB60R199CP
IPB60R199CPDKR
IPB60R199CPATMA1DKR
SP000223256
IPB60R199CPATMA1CT
IPB60R199CPDKR-DG

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

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PRIX UNITAIRE
1.46
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QUANTITÉ DISPONIBLE
1748
NUMÉRO DE PIÈCE
STB21N65M5-DG
PRIX UNITAIRE
2.31
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
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FABRICANT
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QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
STB18N65M5-DG
PRIX UNITAIRE
1.32
TYPE DE SUBSTITUT
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250
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2.56
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