Numéro de produit du fabricant:
IPN95R1K2P7ATMA1
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IPN95R1K2P7ATMA1-DG
Description:
MOSFET N-CH 950V 6A SOT223
Description détaillée:
N-Channel 950 V 6A (Tc) 7W (Tc) Surface Mount PG-SOT223
Inventaire:
3189 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12804050
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SOUMETTRE
IPN95R1K2P7ATMA1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
CoolMOS™ P7
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
950 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
6A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
1.2Ohm @ 2.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 140µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
478 pF @ 400 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
7W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-SOT223
Emballage / Caisse
TO-261-4, TO-261AA
Numéro de produit de base
IPN95R1
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
SP001792336
IPN95R1K2P7ATMA1TR
IPN95R1K2P7ATMA1CT
IPN95R1K2P7ATMA1DKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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