Numéro de produit du fabricant:
IPN95R3K7P7ATMA1
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IPN95R3K7P7ATMA1-DG
Description:
MOSFET N-CH 950V 2A SOT223
Description détaillée:
N-Channel 950 V 2A (Tc) 6W (Tc) Surface Mount PG-SOT223
Inventaire:
13762 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12802721
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
h4p4
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
IPN95R3K7P7ATMA1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
CoolMOS™ P7
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
950 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
2A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
3.7Ohm @ 800mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 40µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
6 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
196 pF @ 400 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
6W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-SOT223
Emballage / Caisse
TO-261-4, TO-261AA
Numéro de produit de base
IPN95R3
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
IPN95R3K7P7ATMA1CT
IPN95R3K7P7ATMA1TR
SP001792330
IPN95R3K7P7ATMA1DKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
BSC010N04LSTATMA1
MOSFET N-CH 40V 39A/100A TDSON
IRFR024NTRLPBF
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
IRF3315PBF
MOSFET N-CH 150V 23A TO220AB
