Numéro de produit du fabricant:
IPP120P04P4L03AKSA1
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IPP120P04P4L03AKSA1-DG
Description:
MOSFET P-CH 40V 120A TO220-3
Description détaillée:
P-Channel 40 V 120A (Tc) 136W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Inventaire:
12803630
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SOUMETTRE
IPP120P04P4L03AKSA1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tube
Série
OptiMOS™
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
40 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
120A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
3.4mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 340µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
234 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±16V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
15000 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
136W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TO220-3-1
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
IPP120
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
500
Autres noms
448-IPP120P04P4L03AKSA1
SP000842300
IPP120P04P4L03AKSA1-DG
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IPP120P04P4L03AKSA2
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
686
NUMÉRO DE PIÈCE
IPP120P04P4L03AKSA2-DG
PRIX UNITAIRE
1.62
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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