Numéro de produit du fabricant:
IPS70R900P7SAKMA1
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IPS70R900P7SAKMA1-DG
Description:
MOSFET N-CH 700V 6A TO251-3
Description détaillée:
N-Channel 700 V 6A (Tc) 30.5W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Inventaire:
821 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12852027
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SOUMETTRE
IPS70R900P7SAKMA1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tube
Série
CoolMOS™ P7
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
700 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
6A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
900mOhm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 60µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
6.8 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±16V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
211 pF @ 400 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
30.5W (Tc)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TO251-3
Emballage / Caisse
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Numéro de produit de base
IPS70R900
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
75
Autres noms
2156-IPS70R900P7SAKMA1
ROCINFIPS70R900P7SAKMA1
SP001499716
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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