Numéro de produit du fabricant:
IPU80R1K4CEAKMA1
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IPU80R1K4CEAKMA1-DG
Description:
MOSFET N-CH 800V 3.9A TO251-3
Description détaillée:
N-Channel 800 V 3.9A (Tc) 63W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Inventaire:
12802538
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SOUMETTRE
IPU80R1K4CEAKMA1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
-
Série
CoolMOS™
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
800 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
3.9A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
1.4Ohm @ 2.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 240µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
570 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
63W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TO251-3
Emballage / Caisse
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Numéro de produit de base
IPU80R
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,500
Autres noms
SP001593930
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IPU80R1K4P7AKMA1
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
6
NUMÉRO DE PIÈCE
IPU80R1K4P7AKMA1-DG
PRIX UNITAIRE
0.35
TYPE DE SUBSTITUT
Direct
NUMÉRO DE PIÈCE
STU3N65M6
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
STU3N65M6-DG
PRIX UNITAIRE
0.46
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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