Numéro de produit du fabricant:
IPW65R660CFDFKSA1
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IPW65R660CFDFKSA1-DG
Description:
MOSFET N-CH 700V 6A TO247-3
Description détaillée:
N-Channel 700 V 6A (Tc) 62.5W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Inventaire:
12806124
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SOUMETTRE
IPW65R660CFDFKSA1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
-
Série
CoolMOS™
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
700 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
6A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
660mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 200µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
615 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
62.5W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TO247-3-1
Emballage / Caisse
TO-247-3
Numéro de produit de base
IPW65R
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
240
Autres noms
2156-IPW65R660CFDFKSA1-IT
INFINFIPW65R660CFDFKSA1
IPW65R660CFD
SP000861700
IPW65R660CFD-DG
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFPF50PBF
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
466
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFPF50PBF-DG
PRIX UNITAIRE
3.01
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
STW10N95K5
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
466
NUMÉRO DE PIÈCE
STW10N95K5-DG
PRIX UNITAIRE
1.98
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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