Numéro de produit du fabricant:
IRF6628TRPBF
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IRF6628TRPBF-DG
Description:
MOSFET N-CH 25V 27A DIRECTFET
Description détaillée:
N-Channel 25 V 27A (Ta), 160A (Tc) 2.8W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
Inventaire:
13064171
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SOUMETTRE
IRF6628TRPBF Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
-
Série
HEXFET®
Emballage
Tape & Reel (TR)
État de la pièce
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
25 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
27A (Ta), 160A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
2.5mOhm @ 27A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 100µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
47 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
3770 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.8W (Ta), 96W (Tc)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
DIRECTFET™ MX
Emballage / Caisse
DirectFET™ Isometric MX
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
4,800
Autres noms
IRF6628TRPBFCT
IRF6628TRPBFTR
IRF6628TRPBFDKR
SP001526838
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
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