IRFH5250DTRPBF
Numéro de produit du fabricant:

IRFH5250DTRPBF

Product Overview

Fabricant:

International Rectifier

DiGi Electronics Numéro de pièce:

IRFH5250DTRPBF-DG

Description:

IRFH5250 - 12V-300V N-CHANNEL PO
Description détaillée:
N-Channel 25 V 40A (Ta), 100A (Tc) 3.6W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)

Inventaire:

902 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12946793
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
r4xt
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE

IRFH5250DTRPBF Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Emballage
Bulk
Série
HEXFET®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
25 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
40A (Ta), 100A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
1.4mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 150µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
83 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
6115 pF @ 13 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3.6W (Ta), 156W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-PQFN (5x6)
Emballage / Caisse
8-PowerVDFN

Fiche technique & Documents

Fiches techniques
Datasheet

Informations supplémentaires

Forfait standard
362
Autres noms
INFIRFIRFH5250DTRPBF
2156-IRFH5250DTRPBF

Classification environnementale et d'exportation

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certification DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Produits Connexes
international-rectifier

IRF1407PBF

IRF1407 - 12V-300V N-CHANNEL POW

fairchild-semiconductor

FDFMA2P853

MOSFET P-CH 20V 3A 6MICROFET

fairchild-semiconductor

FCPF380N60

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

fairchild-semiconductor

FQP3N80C

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3