IXFB30N120Q2
Numéro de produit du fabricant:

IXFB30N120Q2

Product Overview

Fabricant:

IXYS

DiGi Electronics Numéro de pièce:

IXFB30N120Q2-DG

Description:

MOSFET N-CH 1200V 30A ISOPLUS264
Description détaillée:
N-Channel 1200 V 30A (Tc) Through Hole ISOPLUS264™

Inventaire:

12819138
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SOUMETTRE

IXFB30N120Q2 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Littelfuse
Emballage
-
Série
HiPerFET™, Q2 Class
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
1200 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
30A (Tc)
rds activé (max) @ id, vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
-
Température de fonctionnement
-
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
ISOPLUS264™
Emballage / Caisse
TO-264-3, TO-264AA
Numéro de produit de base
IXFB30

Informations supplémentaires

Forfait standard
25

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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