IXTN102N65X2
Numéro de produit du fabricant:

IXTN102N65X2

Product Overview

Fabricant:

IXYS

DiGi Electronics Numéro de pièce:

IXTN102N65X2-DG

Description:

MOSFET N-CH 650V 76A SOT227
Description détaillée:
N-Channel 650 V 76A (Tc) 595AW (Tc) Chassis Mount SOT-227

Inventaire:

68 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12820472
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SOUMETTRE

IXTN102N65X2 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Littelfuse
Emballage
Tube
Série
Ultra X2
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
76A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
30mOhm @ 51A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
152 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
10900 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
595AW (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Chassis Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
SOT-227
Emballage / Caisse
SOT-227-4, miniBLOC
Numéro de produit de base
IXTN102

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
10

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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