Numéro de produit du fabricant:
MMIX1F180N25T
Product Overview
Fabricant:
IXYS
DiGi Electronics Numéro de pièce:
MMIX1F180N25T-DG
Description:
MOSFET N-CH 250V 132A 24SMPD
Description détaillée:
N-Channel 250 V 132A (Tc) 570W (Tc) Surface Mount 24-SMPD
Inventaire:
20 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12822065
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
h792
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
MMIX1F180N25T Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Littelfuse
Emballage
Tube
Série
GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
250 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
132A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
13mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
364 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
23800 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
570W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
24-SMPD
Emballage / Caisse
24-PowerSMD, 21 Leads
Numéro de produit de base
MMIX1F180
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
20
Autres noms
-MMIX1F180N25T
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
IXTQ180N055T
MOSFET N-CH 55V 180A TO3P
IXTQ96N20P
MOSFET N-CH 200V 96A TO3P
IXTQ88N30P
MOSFET N-CH 300V 88A TO3P
