Numéro de produit du fabricant:
2N7002NXAKR
Product Overview
Fabricant:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Numéro de pièce:
2N7002NXAKR-DG
Description:
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Description détaillée:
N-Channel 60 V 190mA (Ta), 300mA (Tc) 265mW (Ta), 1.33W (Tc) Surface Mount TO-236AB
Inventaire:
87630 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12826318
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SOUMETTRE
2N7002NXAKR Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Nexperia
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
190mA (Ta), 300mA (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
4.5Ohm @ 100mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
0.43 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
20 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
265mW (Ta), 1.33W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-236AB
Emballage / Caisse
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numéro de produit de base
2N7002
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
1727-8643-2
934661281215
1727-8643-1
1727-8643-6
5202-2N7002NXAKRTR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
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