Numéro de produit du fabricant:
2N7002
Product Overview
Fabricant:
NTE Electronics, Inc
DiGi Electronics Numéro de pièce:
2N7002-DG
Description:
MOSFET N-CHANNEL 60V 115MA SOT23
Description détaillée:
N-Channel 60 V 115mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Inventaire:
20715 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12923320
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SOUMETTRE
2N7002 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Emballage
Bag
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
115mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
7.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
50 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
200mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
SOT-23-3
Emballage / Caisse
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numéro de produit de base
2N7002
Informations supplémentaires
Forfait standard
1
Autres noms
2368-2N7002
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
RoHS non-compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
NTTFS005N04CTAG
MOSFET N-CH 40V 17A/69A 8WDFN
2N7000
MOSFET N-CHANNEL 60V 200MA TO92
NTE491T
MOSFET N-CHANNEL 60V 310MA TO237
