PSMN3R4-30BL,118
Numéro de produit du fabricant:

PSMN3R4-30BL,118

Product Overview

Fabricant:

NXP USA Inc.

DiGi Electronics Numéro de pièce:

PSMN3R4-30BL,118-DG

Description:

NOW NEXPERIA PSMN3R4-30BL - 100A
Description détaillée:
N-Channel 30 V 100A (Tc) 114W (Tc) Surface Mount D2PAK

Inventaire:

900 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12947688
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SOUMETTRE

PSMN3R4-30BL,118 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
NXP Semiconductors
Emballage
Bulk
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
100A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
3.3mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.15V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
64 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
3907 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
114W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
D2PAK
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Fiche technique & Documents

Informations supplémentaires

Forfait standard
494
Autres noms
2156-PSMN3R4-30BL,118
NEXNXPPSMN3R4-30BL,118

Classification environnementale et d'exportation

ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
fairchild-semiconductor

HUF75852G3

MOSFET N-CH 150V 75A TO247-3

taiwan-semiconductor

TSM035NB04CZ

MOSFET N-CH 40V 18A/157A TO220

international-rectifier

IRF6620TRPBF

IRF6620 - 12V-300V N-CHANNEL POW

stmicroelectronics

STP21NM50N

MOSFET N-CH 500V 18A TO220AB