Numéro de produit du fabricant:
BVSS123LT1G
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
BVSS123LT1G-DG
Description:
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Description détaillée:
N-Channel 100 V 170mA (Ta) 225mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Inventaire:
16032 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12845648
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SOUMETTRE
BVSS123LT1G Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
170mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
6Ohm @ 100mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.8V @ 1mA
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
20 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
225mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
SOT-23-3 (TO-236)
Emballage / Caisse
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numéro de produit de base
BVSS123
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
2156-BVSS123LT1G-OS
BVSS123LT1GOSDKR
BVSS123LT1GOSCT
BVSS123LT1GOSTR
BVSS123LT1G-DG
ONSONSBVSS123LT1G
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
