Numéro de produit du fabricant:
IRFN214BTA_FP001
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IRFN214BTA_FP001-DG
Description:
MOSFET N-CH 250V 600MA TO92-3
Description détaillée:
N-Channel 250 V 600mA (Ta) 1.8W (Ta) Through Hole TO-92-3
Inventaire:
12839480
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SOUMETTRE
IRFN214BTA_FP001 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
250 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
600mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
2Ohm @ 300mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
10.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
275 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1.8W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-92-3
Emballage / Caisse
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Numéro de produit de base
IRFN2
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,000
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
FCH043N60
MOSFET N-CH 600V 75A TO247-3
FDPF12N50NZ
MOSFET N-CH 500V 11.5A TO220F
NTD15N06-001
MOSFET N-CH 60V 15A IPAK
