NSBC115TF3T5G
Numéro de produit du fabricant:

NSBC115TF3T5G

Product Overview

Fabricant:

onsemi

DiGi Electronics Numéro de pièce:

NSBC115TF3T5G-DG

Description:

TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Description détaillée:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 254 mW Surface Mount SOT-1123

Inventaire:

12844395
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SOUMETTRE

NSBC115TF3T5G Spécifications techniques

Catégorie
Bipolaire (BJT), Transistors bipolaires pré-biaisés simples
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
-
État du produit
Last Time Buy
Transistor Type
NPN - Pre-Biased
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
100 mA
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
50 V
Résistance - Base (R1)
100 kOhms
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
160 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 5mA, 10mA
Courant - Coupure du collecteur (max.)
500nA
Puissance - Max
254 mW
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
SOT-1123
Ensemble d’appareils du fournisseur
SOT-1123
Numéro de produit de base
NSBC115

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
8,000
Autres noms
2156-NSBC115TF3T5G-OS
2832-NSBC115TF3T5GTR
2832-NSBC115TF3T5G-488
ONSONSNSBC115TF3T5G

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
DTC015TMT2L
FABRICANT
Rohm Semiconductor
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
DTC015TMT2L-DG
PRIX UNITAIRE
0.02
TYPE DE SUBSTITUT
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Rohm Semiconductor
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
DTC115TMT2L-DG
PRIX UNITAIRE
0.03
TYPE DE SUBSTITUT
Similar
NUMÉRO DE PIÈCE
RN1131MFV(TL3,T)
FABRICANT
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÉ DISPONIBLE
3000
NUMÉRO DE PIÈCE
RN1131MFV(TL3,T)-DG
PRIX UNITAIRE
0.03
TYPE DE SUBSTITUT
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