Numéro de produit du fabricant:
NTC080N120SC1
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
NTC080N120SC1-DG
Description:
SIC MOS WAFER SALES 80MOHM 1200V
Description détaillée:
N-Channel 1200 V 31A (Tc) 178W (Tc) Surface Mount Die
Inventaire:
12973508
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Quantité
Minimum 1
Minimum 1
a36d
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SOUMETTRE
NTC080N120SC1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
1200 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
31A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
20V
rds activé (max) @ id, vgs
110mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.3V @ 5mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 20 V
Vgs (max.)
+25V, -15V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1112 pF @ 800 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
178W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
Die
Emballage / Caisse
Die
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1
Autres noms
488-NTC080N120SC1
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Not Applicable
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
NDP708AE
60A, 80V, 0.022OHM, N-CHANNEL MO
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60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJD8NA50_R2_00001
500V N-CHANNEL MOSFET
