Numéro de produit du fabricant:
HAT1069C-EL-E
Product Overview
Fabricant:
Renesas Electronics Corporation
DiGi Electronics Numéro de pièce:
HAT1069C-EL-E-DG
Description:
MOSFET P-CH 12V 4A 6CMFPAK
Description détaillée:
P-Channel 12 V 4A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount 6-CMFPAK
Inventaire:
12853828
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SOUMETTRE
HAT1069C-EL-E Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Renesas Electronics Corporation
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
12 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
4A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
52mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
16 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±8V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1380 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
900mW (Ta)
Température de fonctionnement
150°C
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
6-CMFPAK
Emballage / Caisse
6-SMD, Flat Leads
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
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