RCX081N20
Numéro de produit du fabricant:

RCX081N20

Product Overview

Fabricant:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Numéro de pièce:

RCX081N20-DG

Description:

MOSFET N-CH 200V 8A TO220FM
Description détaillée:
N-Channel 200 V 8A (Tc) 2.23W (Ta), 40W (Tc) Through Hole TO-220FM

Inventaire:

147 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13525313
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE

RCX081N20 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
ROHM Semiconductor
Emballage
Bulk
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
200 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
8A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
770mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.25V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
8.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
330 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.23W (Ta), 40W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220FM
Emballage / Caisse
TO-220-3 Full Pack
Numéro de produit de base
RCX081

Fiche technique & Documents

Documents de fiabilité
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
500
Autres noms
RCX081N20CT-ND
RCX081N20CT

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
rohm-semi

RXH070N03TB1

MOSFET N-CH 30V 7A 8SOP

rohm-semi

RSS100N03FU6TB

MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP

rohm-semi

RF4E110BNTR

MOSFET N-CH 30V 11A HUML2020L8

rohm-semi

RQ1A070ZPTR

MOSFET P-CH 12V 7A TSMT8