Numéro de produit du fabricant:
SCT3120ALGC11
Product Overview
Fabricant:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SCT3120ALGC11-DG
Description:
SICFET N-CH 650V 21A TO247N
Description détaillée:
N-Channel 650 V 21A (Tc) 103W (Tc) Through Hole TO-247N
Inventaire:
6940 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13526426
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SOUMETTRE
SCT3120ALGC11 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
ROHM Semiconductor
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
21A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
18V
rds activé (max) @ id, vgs
156mOhm @ 6.7A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.6V @ 3.33mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 18 V
Vgs (max.)
+22V, -4V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
460 pF @ 500 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
103W (Tc)
Température de fonctionnement
175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-247N
Emballage / Caisse
TO-247-3
Numéro de produit de base
SCT3120
Fiche technique & Documents
Ressources de conception
Documents de fiabilité
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
30
Autres noms
Q12567120
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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