Numéro de produit du fabricant:
VT6M1T2CR
Product Overview
Fabricant:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
VT6M1T2CR-DG
Description:
MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6
Description détaillée:
Mosfet Array 20V 100mA 120mW Surface Mount VMT6
Inventaire:
64626 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13525860
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SOUMETTRE
VT6M1T2CR Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Arrays
Fabricant
ROHM Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
N and P-Channel
Fonctionnalité FET
Logic Level Gate, 1.2V Drive
Tension de vidange à la source (Vdss)
20V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
100mA
rds activé (max) @ id, vgs
3.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 100µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
7.1pF @ 10V
Puissance - Max
120mW
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
6-SMD, Flat Leads
Ensemble d’appareils du fournisseur
VMT6
Numéro de produit de base
VT6M1
Fiche technique & Documents
Ressources de conception
Documents de fiabilité
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
8,000
Autres noms
VT6M1T2CRCT
VT6M1T2CRTR
VT6M1T2CRDKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
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