Numéro de produit du fabricant:
STB30NF20
Product Overview
Fabricant:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Numéro de pièce:
STB30NF20-DG
Description:
MOSFET N-CH 200V 30A D2PAK
Description détaillée:
N-Channel 200 V 30A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventaire:
12947121
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
STB30NF20 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
STMicroelectronics
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
STripFET™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
200 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
30A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
75mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1597 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
125W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
D2PAK
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numéro de produit de base
STB30
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,000
Autres noms
497-7946-2
STB30NF20-DG
497-7946-1
-497-7946-1
-497-7946-2
497-7946-6
-497-7946-6
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IXTA50N20P
FABRICANT
IXYS
QUANTITÉ DISPONIBLE
299
NUMÉRO DE PIÈCE
IXTA50N20P-DG
PRIX UNITAIRE
2.24
TYPE DE SUBSTITUT
Similar
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFS4620TRLPBF
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
31842
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFS4620TRLPBF-DG
PRIX UNITAIRE
1.10
TYPE DE SUBSTITUT
Similar
Certification DIGI
Produits Connexes
FDMS8027S
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
PHB18NQ10T,118
MOSFET N-CH 100V 18A D2PAK
FDFM2P110
MOSFET P-CH 20V 3.5A MICROFET
