Numéro de produit du fabricant:
CSD23201W10
Product Overview
Fabricant:
Texas Instruments
DiGi Electronics Numéro de pièce:
CSD23201W10-DG
Description:
MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
Description détaillée:
P-Channel 12 V 2.2A (Tc) 1W (Ta) Surface Mount 4-DSBGA (1x1)
Inventaire:
12795974
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SOUMETTRE
CSD23201W10 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Texas Instruments
Emballage
-
Série
NexFET™
État du produit
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
12 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
2.2A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
82mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
2.4 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
-6V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
325 pF @ 6 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
4-DSBGA (1x1)
Emballage / Caisse
4-UFBGA, DSBGA
Numéro de produit de base
CSD232
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
296-24258-2-NDR
-296-24258-1-NDR
-HPA00788W10
2156-CSD23201W10
-296-24258-1-DG
296-24258-6
296-24258-2
296-24258-6-NDR
296-24258-1
-HPA00788W10-NDR
2156-CSD23201W10-TITR-DG
296-24258-1-NDR
TEXTISCSD23201W10
-CSD23201W10-NDR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
CSD23202W10
FABRICANT
Texas Instruments
QUANTITÉ DISPONIBLE
14404
NUMÉRO DE PIÈCE
CSD23202W10-DG
PRIX UNITAIRE
0.10
TYPE DE SUBSTITUT
Direct
Certification DIGI
Produits Connexes
CSD16321Q5
MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON
CSD18535KTTT
MOSFET N-CH 60V 200A/279A DDPAK
CSD17484F4T
MOSFET N-CH 30V 3A 3PICOSTAR
