Numéro de produit du fabricant:
2SA1163-GR,LF
Product Overview
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Numéro de pièce:
2SA1163-GR,LF-DG
Description:
TRANS PNP 120V 0.1A SMINI
Description détaillée:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 120 V 100 mA 100MHz 150 mW Surface Mount S-Mini
Inventaire:
19181 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12891125
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SOUMETTRE
2SA1163-GR,LF Spécifications techniques
Catégorie
Bipolaire (BJT), Transistors bipolaires simples
Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
Transistor Type
PNP
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
100 mA
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
120 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 1mA, 10mA
Courant - Coupure du collecteur (max.)
100nA (ICBO)
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
200 @ 2mA, 6V
Puissance - Max
150 mW
Fréquence - Transition
100MHz
Température de fonctionnement
125°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Ensemble d’appareils du fournisseur
S-Mini
Numéro de produit de base
2SA1163
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
2SA1163-GR(TE85LFTR
2SA1163-GR(TE85LFDKR
2SA1163-GR(TE85LFCT-DG
2SA1163-GRLFCT
2SA1163-GR(TE85LF
2SA1163-GR,LF(T
2SA1163-GRLFDKR
2SA1163-GR(TE85L,F
2SA1163-GR(TE85LFDKR-DG
2SA1163GRT5LFT-DG
2SA1163-GR(TE85LFCT
2SA1163-GR(TE85LFTR-DG
2SA1163GRT5LFT
2SA1163-GR(TE85LF-DG
2SA1163-GRLFTR
2SA1163-GR,LF(B
2SA1163-GRTE85LF
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certification DIGI
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