Numéro de produit du fabricant:
HN1A01FE-GR,LF
Product Overview
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Numéro de pièce:
HN1A01FE-GR,LF-DG
Description:
TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6
Description détaillée:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 50V 150mA 80MHz 100mW Surface Mount ES6
Inventaire:
3988 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12891219
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18Z8
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SOUMETTRE
HN1A01FE-GR,LF Spécifications techniques
Catégorie
Bipolaire (BJT), Réseaux de Transistors Bipolaires
Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
Transistor Type
2 PNP (Dual)
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
150mA
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 10mA, 100mA
Courant - Coupure du collecteur (max.)
100nA (ICBO)
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
200 @ 2mA, 6V
Puissance - Max
100mW
Fréquence - Transition
80MHz
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
SOT-563, SOT-666
Ensemble d’appareils du fournisseur
ES6
Numéro de produit de base
HN1A01
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
4,000
Autres noms
HN1A01FE-GR(5LFTDKR
HN1A01FE-GR(5L,F,T
HN1A01FE-GRLF(BCT
HN1A01FE-GR(5LFTDKR-DG
HN1A01FE-GR(5LFTTR
HN1A01FE-GRLFCTINACTIVE
HN1A01FE-GRLFTR
HN1A01FE-GRLFTRINACTIVE
HN1A01FE-GRLFDKR
HN1A01FE-GR,LF(T
HN1A01FE-GRLF(BTR
HN1A01FEGRLFTR-DG
HN1A01FE-GR(5LFTCT-DG
HN1A01FE-GRLF(BTR-DG
HN1A01FEGRLFTR
HN1A01FE-GR(5LFTCT
HN1A01FE-GRLF(BCT-DG
HN1A01FE-GRLFDKRINACTIVE
HN1A01FE-GRLFCT
HN1A01FE-GRLF(BDKR
HN1A01FE-GRLF(BDKR-DG
HN1A01FE-GR(5LFTTR-DG
HN1A01FE-GR,LF(B
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
BC857BV,115
FABRICANT
Nexperia USA Inc.
QUANTITÉ DISPONIBLE
23451
NUMÉRO DE PIÈCE
BC857BV,115-DG
PRIX UNITAIRE
0.06
TYPE DE SUBSTITUT
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