Numéro de produit du fabricant:
HN1B01FU-Y,LXHF
Product Overview
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Numéro de pièce:
HN1B01FU-Y,LXHF-DG
Description:
AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50
Description détaillée:
Bipolar (BJT) Transistor Array 50V 150mA 120MHz, 150MHz 200mW Surface Mount US6
Inventaire:
5878 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12966894
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Quantité
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SOUMETTRE
HN1B01FU-Y,LXHF Spécifications techniques
Catégorie
Bipolaire (BJT), Réseaux de Transistors Bipolaires
Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
Transistor Type
-
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
150mA
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 10mA, 100mA / 250mV @ 10mA, 100mA
Courant - Coupure du collecteur (max.)
100nA (ICBO)
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
120 @ 2mA, 6V
Puissance - Max
200mW
Fréquence - Transition
120MHz, 150MHz
Température de fonctionnement
-
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Ensemble d’appareils du fournisseur
US6
Numéro de produit de base
HN1B01
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
264-HN1B01FU-YLXHFDKR
264-HN1B01FU-Y,LXHFCT
264-HN1B01FU-Y,LXHFTR
264-HN1B01FU-YLXHFCT
264-HN1B01FU-Y,LXHFCT-DG
264-HN1B01FU-YLXHFTR
264-HN1B01FU-Y,LXHFTR-DG
264-HN1B01FU-Y,LXHFDKR-DG
264-HN1B01FU-Y,LXHFDKR
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certification DIGI
Produits Connexes
HN1A01FE-GR,LXHF
AUTO AEC-Q PNP + PNP TR VCEO:-50
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