Numéro de produit du fabricant:
HN1C01F-GR(TE85L,F
Product Overview
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Numéro de pièce:
HN1C01F-GR(TE85L,F-DG
Description:
TRANS 2NPN 50V 0.15A SM6
Description détaillée:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 50V 150mA 800MHz 300mW Surface Mount SM6
Inventaire:
12891396
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Quantité
Minimum 1
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Zv5J
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SOUMETTRE
HN1C01F-GR(TE85L,F Spécifications techniques
Catégorie
Bipolaire (BJT), Réseaux de Transistors Bipolaires
Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
-
Série
-
État du produit
Active
Transistor Type
2 NPN (Dual)
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
150mA
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 10mA, 100mA
Courant - Coupure du collecteur (max.)
100nA (ICBO)
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
120 @ 2mA, 6V
Puissance - Max
300mW
Fréquence - Transition
800MHz
Température de fonctionnement
125°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
SC-74, SOT-457
Ensemble d’appareils du fournisseur
SM6
Numéro de produit de base
HN1C01
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
HN1C01F-GR(TE85LF)CT-DG
HN1C01FGR(TE85LFTR
HN1C01F-GR(TE85LF)DKR
HN1C01F-GR(TE85L,F)
HN1C01F-GR(TE85LF)DKR-DG
HN1C01F-GR(TE85LFTR
HN1C01F-GR(TE85LF)CT
HN1C01FGR(TE85LFTR-DG
HN1C01F-GRTE85LF
HN1C01F-GR(TE85LF)TR
HN1C01F-GR(TE85LF)TR-DG
HN1C01F-GR(TE85LFCT
HN1C01F-GR(TE85LFDKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
RoHS Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certification DIGI
Produits Connexes
HN1B04FU-Y,LF
X34 PB-F US6 PLN (LF) TRANSISTOR
HN1B04FE-Y,LF
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DMMT5551S-7-F
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