Numéro de produit du fabricant:
TK290A65Y,S4X
Product Overview
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Numéro de pièce:
TK290A65Y,S4X-DG
Description:
MOSFET N-CH 650V 11.5A TO220SIS
Description détaillée:
N-Channel 650 V 11.5A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Inventaire:
12889324
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Quantité
Minimum 1
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2hzp
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SOUMETTRE
TK290A65Y,S4X Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
Tube
Série
DTMOSV
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
11.5A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
290mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 450µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
730 pF @ 300 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
35W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220SIS
Emballage / Caisse
TO-220-3 Full Pack
Numéro de produit de base
TK290A65
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
TK290A65YS4X(S
TK290A65YS4X
TK290A65Y,S4X(S
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Not Applicable
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IPA80R280P7XKSA1
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
486
NUMÉRO DE PIÈCE
IPA80R280P7XKSA1-DG
PRIX UNITAIRE
1.32
TYPE DE SUBSTITUT
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NUMÉRO DE PIÈCE
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FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
77
NUMÉRO DE PIÈCE
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PRIX UNITAIRE
1.13
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