Numéro de produit du fabricant:
TPH3R70APL1,LQ
Product Overview
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Numéro de pièce:
TPH3R70APL1,LQ-DG
Description:
150V U-MOS IX-H SOP-ADVANCE(N) 3
Description détaillée:
N-Channel 100 V 90A (Tc) 210W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5.75)
Inventaire:
9377 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12927096
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SOUMETTRE
TPH3R70APL1,LQ Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
90A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
3.7mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
67 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
6300 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
210W (Tc)
Température de fonctionnement
175°C
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-SOP Advance (5x5.75)
Emballage / Caisse
8-PowerTDFN
Numéro de produit de base
TPH3R70
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
5,000
Autres noms
264-TPH3R70APL1,LQCT
264-TPH3R70APL1LQCT
TPH3R70APL1,LQ(M
264-TPH3R70APL1,LQTR
264-TPH3R70APL1,LQDKR-DG
264-TPH3R70APL1LQDKR
264-TPH3R70APL1,LQCT-DG
264-TPH3R70APL1,LQDKR
264-TPH3R70APL1,LQTR-DG
264-TPH3R70APL1LQTR
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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