Numéro de produit du fabricant:
TW060N120C,S1F
Product Overview
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Numéro de pièce:
TW060N120C,S1F-DG
Description:
G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 60MO
Description détaillée:
N-Channel 1200 V 36A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-247
Inventaire:
50 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12987451
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SOUMETTRE
TW060N120C,S1F Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
1200 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
36A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
18V
rds activé (max) @ id, vgs
78mOhm @ 18A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4.2mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
46 nC @ 18 V
Vgs (max.)
+25V, -10V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1530 pF @ 800 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
170W (Tc)
Température de fonctionnement
175°C
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-247
Emballage / Caisse
TO-247-3
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
30
Autres noms
264-TW060N120CS1F
TW060N120C,S1F(S
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
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