Numéro de produit du fabricant:
IRFPG30
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IRFPG30-DG
Description:
MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO247-3
Description détaillée:
N-Channel 1000 V 3.1A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-247AC
Inventaire:
12910831
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Quantité
Minimum 1
Minimum 1
t3V8
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SOUMETTRE
IRFPG30 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
1000 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
3.1A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
5Ohm @ 1.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
980 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
125W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-247AC
Emballage / Caisse
TO-247-3
Numéro de produit de base
IRFPG30
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
500
Autres noms
*IRFPG30
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
RoHS non-compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IXTH3N100P
FABRICANT
IXYS
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
IXTH3N100P-DG
PRIX UNITAIRE
3.72
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFPG30PBF
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
124
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFPG30PBF-DG
PRIX UNITAIRE
1.48
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
NUMÉRO DE PIÈCE
IXFH12N100F
FABRICANT
IXYS
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
IXFH12N100F-DG
PRIX UNITAIRE
6.81
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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