Numéro de produit du fabricant:
FQT4N20LTF
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FQT4N20LTF-DG
Description:
MOSFET N-CH 200V 850MA SOT223-4
Description détaillée:
N-Channel 200 V 850mA (Tc) 2.2W (Tc) Surface Mount SOT-223-4
Inventaire:
50 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12840019
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SOUMETTRE
FQT4N20LTF Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
QFET®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
200 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
850mA (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
1.35Ohm @ 425mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
5.2 nC @ 5 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
310 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.2W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
SOT-223-4
Emballage / Caisse
TO-261-4, TO-261AA
Numéro de produit de base
FQT4N20
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
4,000
Autres noms
FQT4N20LTFDKR
FAIFSCFQT4N20LTF
FQT4N20LTF-DG
FQT4N20LTFTR
FQT4N20LTFCT
2156-FQT4N20LTF-OS
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
BSP297H6327XTSA1
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
7629
NUMÉRO DE PIÈCE
BSP297H6327XTSA1-DG
PRIX UNITAIRE
0.30
TYPE DE SUBSTITUT
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